LLM 的推理速度与存储金字塔

一个每秒吐几十个字的大模型,瓶颈往往不在算力,而在从显存里把权重搬出来的速度。同一张 H100,跑一段几千 token 的长 prompt 时算力单元几乎打满,可一旦进入逐字生成,利用率就掉到个位数百分比 — 卡它的不是浮点吞吐,是显存带宽。[2]

要说清这件事,得先把 LLM 推理拆成两个阶段。第一阶段叫 prefill(预填充):把整段输入 prompt 一次性喂进模型,为后面每个 token 算好注意力所需的 key / value,写进 KV cache。这一步是大矩阵乘(GEMM),成千上万个 token 并行走一遍网络,算术强度高,吃的是算力(compute bound)。第二阶段叫 decoding(解码 / 逐字生成):模型自回归地一次只生成一个 token,拿它当输入再生成下一个,循环往复直到结束。问题就出在这里 — 每生成一个 token,都要把整个模型的权重(外加不断变长的 KV cache)从显存完整读一遍,可对每个读进来的字节只做极少量计算。算力单元大部分时间在等数据,于是 decoding 卡在显存带宽上(memory bandwidth bound)[1][2]

这就解释了过去十年 GPU 存储侧那一连串看似零碎的进步,其实都指向同一个目标 — 喂饱带宽。显存从 HBM2 一路堆到 HBM3e、HBM4,单卡带宽从 P100 的约 0.7 TB/s 涨到 B200 的 8 TB/s;片上 SRAM 越做越大,L2 从 4 MB 涨到上百 MB,每个 SM 的共享内存从 64 KB 涨到 228 KB;显存位宽越拉越宽,HBM 单堆叠做到 1024 甚至 2048 bit。这些数字背后是三种存储工艺(SRAM、GDDR、HBM)、几家寡头供应商,和一条正在被 AI 需求挤爆的封装产线。

本文顺着这条线往下走:先讲清 decoding 为什么是 memory bound,再拆 GPU 的存储金字塔与逐代演进,然后落到工艺与成本,最后看供应链的瓶颈在哪。

Decoding 与带宽

自回归:每个 token 都要把整个模型读一遍

Transformer 生成文本是自回归的 — 第 tt 个 token 的输出依赖前面所有 token,模型必须先算出第 tt 个,才能拿它当输入去算第 t+1t+1 个。这个链式依赖没法在时间维度上并行,只能一个一个来。

关键在于:生成每一个 token,前向传播都要用到模型的全部权重。一个稠密模型有多少参数,就要从显存里读多少个权重出来做一遍乘加。假设权重用 FP16 存(每个参数 2 字节),那么每生成一个 token,至少要从显存搬运「参数量 × 2」字节到计算单元。除此之外还要读 KV cache — 前面每个 token 都在每一层留下了一份 key / value,序列越长,这块读取量越大。[2]

而计算量呢?decoding 阶段的核心运算是「矩阵 × 向量」(一个 token 就是一个向量),不是 prefill 那种「矩阵 × 矩阵」。矩阵向量乘对每个权重只做一次乘加,读进来一个权重、算一下就扔掉,几乎没有数据复用

算术强度与 roofline

衡量一段计算是「缺算力」还是「缺带宽」,标准工具是 roofline 模型,核心指标是算术强度(arithmetic intensity) — 每从显存搬运 1 字节,配套做了多少次浮点运算:

I=FLOPsBytes movedI = \frac{\text{FLOPs}}{\text{Bytes moved}}

decoding 的算术强度极低。生成一个 token,读一个 FP16 权重(2 字节)大约只做 2 次浮点运算(一次乘、一次加),算下来 I1I \approx 1 FLOP/byte 量级。[2] 而一张 H100 的「拐点(ridge point)」 — 算力峰值除以带宽峰值 — 大约是 990 TFLOPS÷3.35 TB/s295990 \text{ TFLOPS} \div 3.35 \text{ TB/s} \approx 295 FLOP/byte。decoding 的算术强度比拐点低了两个数量级,稳稳落在 roofline 的带宽受限那一侧:性能由显存带宽这条斜线决定,算力峰值那条平顶完全用不上。[1]

prefill 恰好相反。一次处理成百上千个 token,权重读一遍能服务一整批 token,运算变成「矩阵 × 矩阵」的 GEMM,同一个权重被复用几百上千次,算术强度轻松冲到几百 FLOP/byte,越过拐点进入算力受限区。所以同一个模型,prefill 比算力、decoding 比带宽 — 这是理解 LLM 推理性能的第一条分界线。

Roofline 模型(对数-对数轴)— 蓝色斜线是「带宽受限」屋顶,性能随算术强度线性上升;橙色平顶是「算力受限」屋顶,被算力峰值锁死;两者相交处是脊点(ridge point) = 算力峰值 ÷ 带宽峰值。LLM decoding 的算术强度只有约 1 FLOP/byte,稳稳落在左侧斜坡上,性能由显存带宽决定;prefill / GEMM 复用权重把算术强度推到几百 FLOP/byte,越过脊点进入右侧平台,由算力决定。

一条经验公式

把上面的道理压成一个估算吐字速度的公式:

tokens/s显存带宽 (bytes/s)生成单个 token 需读取的字节数\text{tokens/s} \approx \frac{\text{显存带宽 (bytes/s)}}{\text{生成单个 token 需读取的字节数}}

拿 Llama-70B、FP16 举例:权重约 70×109×2=14070 \times 10^9 \times 2 = 140 GB。单条请求(batch size 1)在一张 H100(带宽 3.35 TB/s)上的理论天花板约为 3350÷140243350 \div 140 \approx 24 tokens/s;换到 B200(8 TB/s)约为 8000÷140578000 \div 140 \approx 57 tokens/s。[2] 实测因为 KV cache 读取、kernel 启动开销、带宽利用率打折等,会比这个上限低一截,但量级和它决定的天花板基本吻合 — 这也是为什么同一个模型换到带宽更高的卡上,单流吐字速度几乎线性变快。

阶段主要运算数据复用算术强度瓶颈
prefill(预填充)矩阵 × 矩阵(GEMM)高(一批 token 共用权重)数百 FLOP/byte算力(compute bound)
decoding(逐字生成)矩阵 × 向量(GEMV)几乎无≈ 1 FLOP/byte显存带宽(memory bound)

顺带一提,批处理(batching)是绕开带宽墙的主要手段 — 把多条请求拼成一批,权重读一遍就能同时服务几十上百个 token,算术强度随 batch 上升,decoding 逐渐从带宽受限往算力受限那侧挪。[2] 但这提升的是「总吞吐」,单条请求的延迟(每个用户看到的吐字速度)仍受带宽约束。想让单流更快,只有一条路 — 更高的显存带宽。这就把话题引到了硬件。

GPU 的架构与存储金字塔

SM、CUDA core 与 Tensor Core

一块现代数据中心 GPU 的算力主体,是几十到上百个 SM(Streaming Multiprocessor,流式多处理器)。每个 SM 内部有一批 CUDA core(做通用 FP32 / INT32 标量运算)和若干 Tensor Core(专做矩阵乘累加 MMA 的单元,一条指令吞一小块矩阵,是跑深度学习的主力)。H100 有 132 个 SM,B200 靠双 die 拼到 148 个 SM。[3][5]

Blackwell GPU 的 SM 内部架构框图
一个 SM 的内部结构——CUDA core、Tensor Core、寄存器堆与共享内存/L1 都在这里。图源:NVIDIA Blackwell 架构白皮书。

GPU 靠海量线程掩盖延迟:每个 SM 同时驻留几十个 warp(32 个线程一组),某个 warp 卡在等显存时,调度器立刻切到另一个就绪的 warp,让算力单元不空转。这套机制要跑得动,得靠一个层次分明的存储金字塔在背后供数据。

从寄存器到主机内存的六层

GPU 的存储层次和 CPU 同构,但有自己的取舍。从最靠近计算单元往外数:

AMD Fiji GPU 封装上的 HBM 堆叠与硅中介层实拍
GPU 封装实拍 — 中央方形 die 是 GPU,四周矩形堆叠是 HBM 显存,两者共同坐在一块硅中介层(interposer)上。金字塔的顶部几层(寄存器 / 共享内存 / L2)刻在中央这块 GPU die 里,最外一层「全局内存」就是四周这几摞 HBM。整包只有手掌大小,显存带宽却能到几 TB/s。(图源:Wikimedia Commons,C. Spille / pcgameshardware.de,CC BY-SA 4.0)
  • 寄存器(register file) — 紧贴 CUDA core / Tensor Core,亚纳秒延迟。GPU 寄存器堆做得极大(H100 每 SM 256 KB,65536 个 32-bit 项),因为要同时养几十个 warp、几千个线程;寄存器用量直接决定一个 SM 能驻留多少线程,也就是占用率(occupancy)。
  • 共享内存 / L1(shared memory) — 每个 SM 一块,几百 KB,几纳秒延迟。它和 L1 缓存共用同一块 SRAM,可由程序员按 kernel 需要切分。共享内存是程序员可显式管理的片上暂存区(CPU 缓存对软件透明,这是 GPU 的关键区别),FlashAttention 这类算子正是靠它把注意力矩阵留在片上、避免反复往显存读写。
  • L2 cache — 全 GPU 共享,几十到上百 MB,十几纳秒延迟。它是显存的门神 — 命中一次就省一次 HBM 访问,对 decoding 这种带宽敏感场景尤其值钱。[6]
  • 全局内存 / 显存(global memory) — 即 HBM(数据中心)或 GDDR(消费级),几十到几百 GB,几百纳秒延迟,带宽几 TB/s。模型权重、KV cache 都住在这里,decoding 每步都要从这层把权重整个读一遍。这一层的带宽就是吐字速度的天花板。
  • 主机内存(host memory) — 通过 PCIe / NVLink-C2C 连到 CPU 侧的 DDR / LPDDR,容量最大但延迟带宽都差一大截;显存装不下的部分(超大模型、超长上下文)才往这里溢。

各层的容量、带宽、延迟差着好几个数量级,越靠上越快越小越贵,越靠下越大越慢越便宜 — 这就是存储金字塔的全部张力。整个层次结构存在的唯一目的,就是让 Tensor Core 尽量不因为等数据而空转。

GPU 存储金字塔 — 从顶端紧贴计算单元的寄存器,往下依次是共享内存 / L1、L2 缓存、全局内存(显存 HBM / GDDR),再到片外的主机内存(Host DRAM)。右侧标注每层的容量与延迟 / 带宽量级:越往上越快、越贵、越小(片上 SRAM,亚纳秒到几纳秒、几十上百 TB/s,但只有 KB–MB),越往下越大、越慢、越便宜(片外 DRAM,几百纳秒到微秒、几十 GB/s 到几 TB/s,可到几百 GB–TB)。decoding 每生成一个 token 都要从「全局内存」这层把整个模型读一遍,所以这一层的带宽就是吐字速度的天花板。
层级介质典型容量(H100)延迟量级带宽量级谁管理
寄存器SRAM256 KB / SM< 1 ns~100 TB/s 级编译器
共享内存 / L1SRAM228 KB / SM几 ns~20 TB/s 级程序员 / 硬件
L2 cacheSRAM50 MB~十几 ns~10 TB/s 级硬件
全局内存HBM380 GB~数百 ns3.35 TB/s程序员
主机内存DDR5数百 GB ~ TB~微秒(过 PCIe)~数十 GB/s操作系统

从 Pascal 到 Blackwell:逐代堆带宽

过去十年,NVIDIA 数据中心 GPU 的每一代升级,存储侧几乎都在做同一件事 — 换更快的显存、堆更大的片上 SRAM、拓更宽的位宽。逐代看:[3][4][5]

  • Pascal(2016,P100) — 第一代用上 HBM2 的 GPU,4 层堆叠、16 GB、约 732 GB/s,一举甩开当时 GDDR5 的带宽。L2 只有 4 MB,每 SM 共享内存 64 KB,还没有 Tensor Core,深度学习靠 CUDA core 的 FP16 硬扛。
  • Volta(2017,V100) — HBM2 提到 900 GB/s,16 / 32 GB,L2 涨到 6 MB。首次引入 Tensor Core(一代),专门加速 FP16 矩阵乘 — 这是 GPU 从「通用并行处理器」转向「深度学习加速器」的转折点。每 SM 的 L1+共享内存合并成 128 KB,共享内存最多可配 96 KB。
  • Turing(2018,T4 / RTX 20 系) — 数据中心的 T4 转用 GDDR6(320 GB/s),走的是低功耗推理路线;二代 Tensor Core 加入 INT8 / INT4 支持,为推理量化铺路。
  • Ampere(2020,A100) — HBM2e,40 / 80 GB,带宽 1.55 / 2.0 TB/s,L2 暴涨到 40 MB(十倍于 Pascal)。三代 Tensor Core 引入 TF32、BF16 和结构化稀疏。每 SM 共享内存拉到 164 KB。A100 是 ChatGPT 之前那一波大模型训练的主力。
  • Hopper(2022,H100 / H200) — 换 HBM3,H100 80 GB、3.35 TB/s;2023 年的 H200 升级 HBM3e,141 GB、4.8 TB/s(专为 memory bound 的推理场景堆容量和带宽)。L2 到 50 MB,每 SM 共享内存 228 KB。四代 Tensor Core + Transformer Engine,原生支持 FP8 — 权重从 FP16 的 2 字节压到 1 字节,等于把「单 token 读取量」直接砍半,吐字速度翻倍。[3]
  • Blackwell(2024,B200 / GB200)HBM3e,192 GB,8 TB/s。B200 用 NV-HBI(10 TB/s 片间互连)把两块 die 缝成一颗逻辑 GPU,共 208 亿晶体管、148 个 SM,L2 合计约 126 MB。五代 Tensor Core 引入 FP4,把单 token 读取量再砍半。GB200 = 2 颗 B200 + 1 颗 Grace CPU,靠 NVLink-C2C 让 GPU 直接高速访问 CPU 侧的 LPDDR。[5]
  • Blackwell Ultra(2025,B300) — HBM3e 堆到 288 GB,进一步为超长上下文和大 batch 推理扩容。
处理器 die shot,中部大块规则纹理是片上 SRAM 缓存阵列
一块处理器 die 的开盖实拍 — 中部规则纹理的大块亮色区域就是片上 SRAM 缓存阵列。GPU 逐代把 L2 从 4 MB 堆到上百 MB,代价正是这样一大片硅面积:SRAM 单元密度低、占地大,这是「片上存储又快又贵」的物理体现。(图源:Wikimedia Commons,Fritzchens Fritz,CC0 公有领域)

汇总成表(数据中心主力 SKU,SXM 版口径):

架构(年份)代表卡显存类型容量带宽L2每 SM 共享内存Tensor Core
Pascal(2016)P100HBM216 GB≈732 GB/s4 MB64 KB
Volta(2017)V100HBM216 / 32 GB900 GB/s6 MB≤96 KB一代
Turing(2018)T4GDDR616 GB320 GB/s4 MB≤64 KB二代
Ampere(2020)A100HBM2e40 / 80 GB1.55 / 2.0 TB/s40 MB164 KB三代
Hopper(2022)H100HBM380 GB3.35 TB/s50 MB228 KB四代(FP8)
Hopper(2023)H200HBM3e141 GB4.8 TB/s50 MB228 KB四代
Blackwell(2024)B200HBM3e192 GB8 TB/s≈126 MB228 KB五代(FP4)
Blackwell Ultra(2025)B300HBM3e288 GB≈8 TB/s≈126 MB228 KB五代

一条清晰的主线:带宽从 Pascal 到 Blackwell 涨了约 11 倍,正好对应 decoding 天花板涨了约 11 倍。而每一代 Tensor Core 引入更低精度(FP16 → FP8 → FP4),又从「减少单 token 读取字节数」这一侧再帮吐字速度加倍 — 硬件是从带宽和数据量两头同时压这道 memory wall。

存储工艺:SRAM、GDDR、HBM

金字塔上的三层电学存储 — 片上的 SRAM、消费显卡的 GDDR、数据中心的 HBM — 决定了带宽、容量和成本的全部张力。它们的存储单元原理各异,工艺难度和造价差着数量级。

SRAM:片上寄存器 / 缓存 / 共享内存

寄存器、L1 / 共享内存、L2 全是 SRAM(Static RAM,静态随机存取存储器),直接刻在 GPU die 上。它的核心是 6T 单元 — 6 个晶体管组成交叉耦合的双稳态回路,通电就一直锁着 0 或 1,不需要刷新(这是「静态」的来历)。读取直接感知节点电平,延迟做到亚纳秒;因为和逻辑电路同工艺,可以和计算单元刻在一块硅上。[11]

SRAM 芯片解封装后的 die 表面显微照,规则网格是 SRAM 单元阵列
一片 SRAM 芯片解封装后的 die 表面 — 大面积规则网格纹理就是 6T 单元阵列,周边不规则小块是地址译码器、sense amplifier 与 I/O 电路。整片几乎全是阵列,直观说明「6T 单元密度低、占地大」,这正是 SRAM 每比特最贵的根源。(图源:Wikimedia Commons,ZeptoBars,CC BY 3.0)

代价是密度低、面积大、单位容量极贵。每比特要 6 个晶体管,而先进工艺下 SRAM 单元已经缩不动了 — TSMC N5 的 6T bit cell 约 0.021 μm²,N3 仅缩到约 0.0199 μm²(只小 5%)。[11] 这就是为什么 GPU 的 L2 想再大也只能到上百 MB,再往上就是不可接受的硅面积和成本。它的优势全在带宽和延迟 — 片上 SRAM 的聚合带宽是 HBM 的几十倍,FlashAttention 之所以快,本质就是把热数据尽量留在这层不往 HBM 掉。

GDDR:消费级显卡显存

GDDR 是消费级显卡的显存 — 围着 GPU 焊在 PCB 上的独立 DRAM 颗粒。它的存储单元是 1T1C(1 个晶体管 + 1 个电容),靠电容里的电荷存 0 / 1,电荷会漏、必须每隔几毫秒刷新一次,所以「动态(Dynamic)」、也因此延迟比 SRAM 高、但单元小得多、每比特便宜得多。[13]

显卡 PCB 上围绕 GPU 焊接的两颗 GDDR 显存颗粒实拍
一张显卡 PCB 局部实拍 — 标「1」「2」的两块黑色方形封装就是 GDDR 显存颗粒,紧挨着中央盖着金色散热片的 GPU 焊在板上,四周是供电电容与电阻。GDDR 就是这样一颗颗独立 DRAM 芯片贴片在 GPU 周围,靠 PCB 走线连到 GPU — 位宽和容量都受限于焊多少颗、走多少线,这也是它做不出 HBM 那种超宽位宽的原因。(图源:Wikimedia Commons,MEOGLOBAL,公有领域)
同样存 1 个比特,SRAM 用 6 个晶体管搭一个交叉耦合双稳态回路 — 通电就锁着、不用刷新,但占地大、每比特贵,用在片上缓存;DRAM(GDDR / HBM 的单元)只用 1 个晶体管 + 1 个电容 — 电荷会漏、必须周期刷新,但单元小得多、便宜得多,用在显存。这一张图解释了金字塔上「谁在片上、谁在片外」的分界。

GDDR 的代际推进,近几年几乎全靠信号调制在压榨同一条 PCB 走线的带宽极限:

  • GDDR6(2018)— NRZ 二电平(高 / 低 = 1 bit/symbol),14 至 18 Gbps/pin。
  • GDDR6X(2020,Micron 独家)— 改用 PAM4 四电平(2 bit/symbol),频率不变但每符号多搬 1 bit,冲到 19 至 24 Gbps;代价是电平间距挤掉一半、SNR 恶化、功耗上升。
  • GDDR7(2024-2025,Blackwell RTX 50 系)— JEDEC 转向 PAM3 三电平(约 1.5 bit/symbol),28 至 32+ Gbps。看似比 PAM4 退一步,但三电平间距宽 50%,SNR 和误码率反而更好、同带宽下功耗更低。[7]
三种信号调制 — NRZ 一符号 1 bit,靠更快切换提速;PAM4 切四档电压、一符号 2 bit,但相邻电平挤在一起、一受扰就误判;GDDR7 的 PAM3 三档电平,每符号约 1.5 bit 虽比 PAM4 少,但间距宽 50%、误码率更低、功耗更省。这就是 GDDR6X 到 GDDR7「退一步反而更好」的原因。

一张 RTX 5090 用 GDDR7、512-bit 总线,带宽约 1.8 TB/s。GDDR 单位带宽比 HBM 便宜 4 至 10 倍,游戏卡用得起,所以消费显卡全用 GDDR;但它做不出 HBM 那种超宽位宽和超大容量,撑不起数据中心的大模型 — 这就轮到 HBM 出场。

HBM:堆叠 + 硅中介层,数据中心显存

HBM(High Bandwidth Memory)是 DRAM 家族里工艺含金量最高的一支。存储单元和普通 DRAM 没本质区别,贵在「怎么堆起来」[8]

  • 把多层 DRAM 裸片(4 至 16 层)垂直堆叠;
  • 硅通孔(TSV,Through-Silicon Via) 在芯片里打孔,实现层间垂直连接;
  • 整个堆叠体通过 硅中介层(silicon interposer) 与 GPU 紧贴在一起共封装;
  • 接口位宽极宽 — 每个堆叠 1024 bit(HBM4 起翻倍到 2048 bit),远超 GDDR 单颗 32 bit。
HBM 堆叠 + GPU + 硅中介层共封装剖面 — 中央橙色 die 是 GPU,两侧每根蓝色「柱子」是一个 HBM 堆叠(多层 DRAM 裸片 + 1 层 base die)。红色竖线是 TSV,把每层信号直接打到底部 base die。HBM 与 GPU 通过几千条走线在底下的硅中介层(绿)上互连 — 走线极短、位宽极宽,带宽做到几 TB/s。这就是 HBM 又贵又快的物理原因。

per-stack 带宽十年涨了约 16 倍。把主要代际排一排(近似值):[7][8]

代际(年份)per-stack 带宽单堆容量层数pin 速率首发平台
HBM1(2015)128 GB/s4 GB41 GbpsAMD Fiji
HBM2(2016)256 GB/s8 GB82 GbpsV100
HBM2e(2019)460 GB/s16 GB8-123.6 GbpsA100
HBM3(2022)819 GB/s24 GB126.4 GbpsH100
HBM3e(2024)1.2 TB/s36 GB129.2 GbpsH200 / B200
HBM4(2026)≈2 TB/s48 GB168 Gbps下一代

注意 HBM4 的 pin 速率反而从 9.2 Gbps 降到 8 Gbps — 它靠总线位宽翻倍到 2048 bit/stack 把带宽顶上去,而不是继续拉高频率。HBM4 还有一处结构性变化:base die(堆叠最底层的逻辑层)从 DRAM 工艺转到逻辑工艺(TSMC N5 / N3),可以集成自定义 controller,标志 HBM 从「通用商品」走向「与 GPU 厂、代工厂三方协同设计的定制件」。[8]

成本量级大致是(每 GB,数量级口径):

存储单位容量成本(约)相对倍数说明
SRAM(片上)极高,不按 GB 卖6T 单元占硅面积,用先进逻辑节点,最贵
标准 DRAM(DDR5)≈ $2-3 / GB大宗商品,产量大
GDDR7≈ $5-8 / GB2-3×高速接口 + 更严格 PCB
HBM3e≈ $10-15 / GB4-6×TSV 堆叠 + 中介层 + 良率损耗

HBM 为什么这么贵?三笔账:堆叠良率(16 层里几千根 TSV 任一根开路整摞报废)、封装成本(CoWoS 硅中介层,一块 12 寸晶圆只切得出几十块大 interposer)、用料翻倍(同样的比特数,HBM 用的晶圆约是标准 DRAM 的 3 倍)。这三笔就把话题推到了供应链 — 因为它们决定了产能卡在哪。

供应商与产能

HBM:三家寡头,SK 海力士领跑

HBM 是个高度集中的市场,全球只有三家能量产 — SK 海力士、三星、美光。它们同时也是全球 DRAM 的三巨头(三家合计控制约 95% 的 DRAM 大盘)。[9]

2025 年的 HBM 市场份额(营收口径,季度数据有波动):

厂商HBM 份额(2025)站位
SK 海力士≈ 62%(全年约 63%)独家 / 主力供 NVIDIA H100 / H200 / B200
美光≈ 21%靠 HBM3e 异军突起,2025 年 Q2 起超过三星居第二
三星≈ 17%(Q3 回升至约 22%)HBM3e 认证吃过亏,押注 HBM4 追赶

SK 海力士的领先,很大程度来自封装工艺的选择 — 它用 MR-MUF(Mass Reflow Molded Underfill,先涂底胶再整体回流)散热好、良率高,率先拿下 NVIDIA 大单;三星用 NCF(一层层贴膜键合)在 HBM3e 良率上迟迟过不了关,错失了大部分订单,只能把翻身希望押在 HBM4 上。2026 年的竞争焦点正是 HBM4。[9]

封装:CoWoS 是最深的物理瓶颈

HBM 造出来还得和 GPU 封在一起,这道工序卡在 台积电的 CoWoS(Chip-on-Wafer-on-Substrate) 上 — 把 GPU die 和 HBM 堆叠一起放到硅中介层上共封。CoWoS 有三种变体:CoWoS-S(硅中介层,主流,H100 / B200 用)、CoWoS-L(LSI 桥,降本)、CoWoS-R(RDL 重布线,薄型)。[5][10]

CoWoS 产能长期是 NVIDIA 高端卡缺货的物理根因。台积电的 CoWoS 月产能从 2023 年底约 1.3 万片,扩到 2024 年底约 3.5 万片、2025 年底约 7.5 万片,目标 2026 年底冲到约 13 万片 — 三年扩了约十倍,但 CEO 仍表示产能「极度紧张、2026 全年售罄」。TrendForce 估计供需缺口到 2026 年底才从约 20% 收窄到约 10%。[10]

DRAM 大盘:被 AI 挤爆的超级周期

AI 对 HBM 的胃口,正在把整个内存市场推入一轮超级周期。因为同样的晶圆产能,厂商更愿意拿去做利润高得多的 HBM,标准 DRAM(DDR5 / LPDDR)的供给被挤占;加上 HBM 每比特要吃约 3 倍晶圆,等于同样产能造出的总比特数变少。结果是 2025-2026 年常规 DRAM 也跟着涨价、吃紧,连服务器和消费内存都受到波及。[9]

三家厂商 2026 年都在大举扩产 — SK 海力士和三星都宣布提高内存产能以追 AI 需求,但新建晶圆厂周期以年计,短期内 HBM 与先进封装仍是 AI 算力供给链上最紧的两个环节。换句话说,眼下限制大模型推理规模扩张的,往往不是能不能设计出更快的 GPU,而是造得出多少 HBM、封得出多少 CoWoS

结尾

把全文压成一条链:

decoding 逐字生成 → 每个 token 都要把整个模型从显存读一遍、算术强度约 1 FLOP/byte → 卡在显存带宽(memory bound)→ 吐字速度天花板 ≈ 显存带宽 ÷ 单 token 读取字节数 → 于是 GPU 一路堆带宽(HBM2 → HBM3e,0.7 → 8 TB/s)、堆片上 SRAM(L2 4 → 126 MB)、降精度减读取量(FP16 → FP8 → FP4)→ 而带宽的上限又被 SRAM 缩不动、HBM 堆叠贵、CoWoS 封装产能卡死这三道工艺 / 供应瓶颈锁住。

所以下次看到「H200 上某模型推理提速 X 倍」「HBM4 量产」「台积电 CoWoS 又扩产」这些新闻,都能落到这条链的某一环上 — 它们本质都是在同一道 memory wall 上,从带宽、数据量、或产能的某一侧再推一把。prefill 比算力,decoding 比带宽;而 decoding 才是用户真正感知到的「快慢」所在。

参考资料 — 论文 · 架构白皮书 · 供应链数据

  • Williams, Waterman, Patterson. Roofline: An Insightful Visual Performance Model for Multicore Architectures. Communications of the ACM, 2009. dl.acm.org
  • Yuan et al. LLM Inference Unveiled: Survey and Roofline Model Insights. arXiv:2402.16363, 2024. arxiv.org
  • NVIDIA. NVIDIA Hopper Architecture In-Depth. developer.nvidia.com
  • NVIDIA. NVIDIA H100 Tensor Core GPU Architecture Whitepaper. resources.nvidia.com
  • NVIDIA. NVIDIA Blackwell Architecture Technical Brief(B200 / GB200). nvidia.com
  • Chips and Cheese. Nvidia’s H100: Funny L2, and Tons of Bandwidth. chipsandcheese.com
  • JEDEC. GDDR6 / GDDR7 / DDR5 官方标准. jedec.org
  • JEDEC / SK Hynix / Micron. HBM3 / HBM3e / HBM4(JESD270) 标准与技术资料. news.skhynix.com
  • TrendForce / IDC. 2025 HBM 与 DRAM 市场份额、供需分析. trendforce.com
  • TSMC. CoWoS 先进封装产能与路线图. tsmc.com
  • Hennessy, Patterson. Computer Architecture: A Quantitative Approach, 6th ed. — 第 2 章存储层次、附录 roofline 与 GPU 存储模型.
  • Micron. GDDR7 / HBM3e 产品技术文档. micron.com
  • TechInsights. 各代 DRAM / HBM / GPU 逆向工程与拆解数据. techinsights.com