LLM 的推理速度与存储金字塔
一个每秒吐几十个字的大模型,瓶颈往往不在算力,而在从显存里把权重搬出来的速度。同一张 H100,跑一段几千 token 的长 prompt 时算力单元几乎打满,可一旦进入逐字生成,利用率就掉到个位数百分比 — 卡它的不是浮点吞吐,是显存带宽。[2]
要说清这件事,得先把 LLM 推理拆成两个阶段。第一阶段叫 prefill(预填充):把整段输入 prompt 一次性喂进模型,为后面每个 token 算好注意力所需的 key / value,写进 KV cache。这一步是大矩阵乘(GEMM),成千上万个 token 并行走一遍网络,算术强度高,吃的是算力(compute bound)。第二阶段叫 decoding(解码 / 逐字生成):模型自回归地一次只生成一个 token,拿它当输入再生成下一个,循环往复直到结束。问题就出在这里 — 每生成一个 token,都要把整个模型的权重(外加不断变长的 KV cache)从显存完整读一遍,可对每个读进来的字节只做极少量计算。算力单元大部分时间在等数据,于是 decoding 卡在显存带宽上(memory bandwidth bound)。[1][2]
这就解释了过去十年 GPU 存储侧那一连串看似零碎的进步,其实都指向同一个目标 — 喂饱带宽。显存从 HBM2 一路堆到 HBM3e、HBM4,单卡带宽从 P100 的约 0.7 TB/s 涨到 B200 的 8 TB/s;片上 SRAM 越做越大,L2 从 4 MB 涨到上百 MB,每个 SM 的共享内存从 64 KB 涨到 228 KB;显存位宽越拉越宽,HBM 单堆叠做到 1024 甚至 2048 bit。这些数字背后是三种存储工艺(SRAM、GDDR、HBM)、几家寡头供应商,和一条正在被 AI 需求挤爆的封装产线。
本文顺着这条线往下走:先讲清 decoding 为什么是 memory bound,再拆 GPU 的存储金字塔与逐代演进,然后落到工艺与成本,最后看供应链的瓶颈在哪。
Decoding 与带宽
自回归:每个 token 都要把整个模型读一遍
Transformer 生成文本是自回归的 — 第 个 token 的输出依赖前面所有 token,模型必须先算出第 个,才能拿它当输入去算第 个。这个链式依赖没法在时间维度上并行,只能一个一个来。
关键在于:生成每一个 token,前向传播都要用到模型的全部权重。一个稠密模型有多少参数,就要从显存里读多少个权重出来做一遍乘加。假设权重用 FP16 存(每个参数 2 字节),那么每生成一个 token,至少要从显存搬运「参数量 × 2」字节到计算单元。除此之外还要读 KV cache — 前面每个 token 都在每一层留下了一份 key / value,序列越长,这块读取量越大。[2]
而计算量呢?decoding 阶段的核心运算是「矩阵 × 向量」(一个 token 就是一个向量),不是 prefill 那种「矩阵 × 矩阵」。矩阵向量乘对每个权重只做一次乘加,读进来一个权重、算一下就扔掉,几乎没有数据复用。
算术强度与 roofline
衡量一段计算是「缺算力」还是「缺带宽」,标准工具是 roofline 模型,核心指标是算术强度(arithmetic intensity) — 每从显存搬运 1 字节,配套做了多少次浮点运算:
decoding 的算术强度极低。生成一个 token,读一个 FP16 权重(2 字节)大约只做 2 次浮点运算(一次乘、一次加),算下来 FLOP/byte 量级。[2] 而一张 H100 的「拐点(ridge point)」 — 算力峰值除以带宽峰值 — 大约是 FLOP/byte。decoding 的算术强度比拐点低了两个数量级,稳稳落在 roofline 的带宽受限那一侧:性能由显存带宽这条斜线决定,算力峰值那条平顶完全用不上。[1]
prefill 恰好相反。一次处理成百上千个 token,权重读一遍能服务一整批 token,运算变成「矩阵 × 矩阵」的 GEMM,同一个权重被复用几百上千次,算术强度轻松冲到几百 FLOP/byte,越过拐点进入算力受限区。所以同一个模型,prefill 比算力、decoding 比带宽 — 这是理解 LLM 推理性能的第一条分界线。
一条经验公式
把上面的道理压成一个估算吐字速度的公式:
拿 Llama-70B、FP16 举例:权重约 GB。单条请求(batch size 1)在一张 H100(带宽 3.35 TB/s)上的理论天花板约为 tokens/s;换到 B200(8 TB/s)约为 tokens/s。[2] 实测因为 KV cache 读取、kernel 启动开销、带宽利用率打折等,会比这个上限低一截,但量级和它决定的天花板基本吻合 — 这也是为什么同一个模型换到带宽更高的卡上,单流吐字速度几乎线性变快。
| 阶段 | 主要运算 | 数据复用 | 算术强度 | 瓶颈 |
|---|---|---|---|---|
| prefill(预填充) | 矩阵 × 矩阵(GEMM) | 高(一批 token 共用权重) | 数百 FLOP/byte | 算力(compute bound) |
| decoding(逐字生成) | 矩阵 × 向量(GEMV) | 几乎无 | ≈ 1 FLOP/byte | 显存带宽(memory bound) |
顺带一提,批处理(batching)是绕开带宽墙的主要手段 — 把多条请求拼成一批,权重读一遍就能同时服务几十上百个 token,算术强度随 batch 上升,decoding 逐渐从带宽受限往算力受限那侧挪。[2] 但这提升的是「总吞吐」,单条请求的延迟(每个用户看到的吐字速度)仍受带宽约束。想让单流更快,只有一条路 — 更高的显存带宽。这就把话题引到了硬件。
GPU 的架构与存储金字塔
SM、CUDA core 与 Tensor Core
一块现代数据中心 GPU 的算力主体,是几十到上百个 SM(Streaming Multiprocessor,流式多处理器)。每个 SM 内部有一批 CUDA core(做通用 FP32 / INT32 标量运算)和若干 Tensor Core(专做矩阵乘累加 MMA 的单元,一条指令吞一小块矩阵,是跑深度学习的主力)。H100 有 132 个 SM,B200 靠双 die 拼到 148 个 SM。[3][5]

GPU 靠海量线程掩盖延迟:每个 SM 同时驻留几十个 warp(32 个线程一组),某个 warp 卡在等显存时,调度器立刻切到另一个就绪的 warp,让算力单元不空转。这套机制要跑得动,得靠一个层次分明的存储金字塔在背后供数据。
从寄存器到主机内存的六层
GPU 的存储层次和 CPU 同构,但有自己的取舍。从最靠近计算单元往外数:

- 寄存器(register file) — 紧贴 CUDA core / Tensor Core,亚纳秒延迟。GPU 寄存器堆做得极大(H100 每 SM 256 KB,65536 个 32-bit 项),因为要同时养几十个 warp、几千个线程;寄存器用量直接决定一个 SM 能驻留多少线程,也就是占用率(occupancy)。
- 共享内存 / L1(shared memory) — 每个 SM 一块,几百 KB,几纳秒延迟。它和 L1 缓存共用同一块 SRAM,可由程序员按 kernel 需要切分。共享内存是程序员可显式管理的片上暂存区(CPU 缓存对软件透明,这是 GPU 的关键区别),FlashAttention 这类算子正是靠它把注意力矩阵留在片上、避免反复往显存读写。
- L2 cache — 全 GPU 共享,几十到上百 MB,十几纳秒延迟。它是显存的门神 — 命中一次就省一次 HBM 访问,对 decoding 这种带宽敏感场景尤其值钱。[6]
- 全局内存 / 显存(global memory) — 即 HBM(数据中心)或 GDDR(消费级),几十到几百 GB,几百纳秒延迟,带宽几 TB/s。模型权重、KV cache 都住在这里,decoding 每步都要从这层把权重整个读一遍。这一层的带宽就是吐字速度的天花板。
- 主机内存(host memory) — 通过 PCIe / NVLink-C2C 连到 CPU 侧的 DDR / LPDDR,容量最大但延迟带宽都差一大截;显存装不下的部分(超大模型、超长上下文)才往这里溢。
各层的容量、带宽、延迟差着好几个数量级,越靠上越快越小越贵,越靠下越大越慢越便宜 — 这就是存储金字塔的全部张力。整个层次结构存在的唯一目的,就是让 Tensor Core 尽量不因为等数据而空转。
| 层级 | 介质 | 典型容量(H100) | 延迟量级 | 带宽量级 | 谁管理 |
|---|---|---|---|---|---|
| 寄存器 | SRAM | 256 KB / SM | < 1 ns | ~100 TB/s 级 | 编译器 |
| 共享内存 / L1 | SRAM | 228 KB / SM | 几 ns | ~20 TB/s 级 | 程序员 / 硬件 |
| L2 cache | SRAM | 50 MB | ~十几 ns | ~10 TB/s 级 | 硬件 |
| 全局内存 | HBM3 | 80 GB | ~数百 ns | 3.35 TB/s | 程序员 |
| 主机内存 | DDR5 | 数百 GB ~ TB | ~微秒(过 PCIe) | ~数十 GB/s | 操作系统 |
从 Pascal 到 Blackwell:逐代堆带宽
过去十年,NVIDIA 数据中心 GPU 的每一代升级,存储侧几乎都在做同一件事 — 换更快的显存、堆更大的片上 SRAM、拓更宽的位宽。逐代看:[3][4][5]
- Pascal(2016,P100) — 第一代用上 HBM2 的 GPU,4 层堆叠、16 GB、约 732 GB/s,一举甩开当时 GDDR5 的带宽。L2 只有 4 MB,每 SM 共享内存 64 KB,还没有 Tensor Core,深度学习靠 CUDA core 的 FP16 硬扛。
- Volta(2017,V100) — HBM2 提到 900 GB/s,16 / 32 GB,L2 涨到 6 MB。首次引入 Tensor Core(一代),专门加速 FP16 矩阵乘 — 这是 GPU 从「通用并行处理器」转向「深度学习加速器」的转折点。每 SM 的 L1+共享内存合并成 128 KB,共享内存最多可配 96 KB。
- Turing(2018,T4 / RTX 20 系) — 数据中心的 T4 转用 GDDR6(320 GB/s),走的是低功耗推理路线;二代 Tensor Core 加入 INT8 / INT4 支持,为推理量化铺路。
- Ampere(2020,A100) — HBM2e,40 / 80 GB,带宽 1.55 / 2.0 TB/s,L2 暴涨到 40 MB(十倍于 Pascal)。三代 Tensor Core 引入 TF32、BF16 和结构化稀疏。每 SM 共享内存拉到 164 KB。A100 是 ChatGPT 之前那一波大模型训练的主力。
- Hopper(2022,H100 / H200) — 换 HBM3,H100 80 GB、3.35 TB/s;2023 年的 H200 升级 HBM3e,141 GB、4.8 TB/s(专为 memory bound 的推理场景堆容量和带宽)。L2 到 50 MB,每 SM 共享内存 228 KB。四代 Tensor Core + Transformer Engine,原生支持 FP8 — 权重从 FP16 的 2 字节压到 1 字节,等于把「单 token 读取量」直接砍半,吐字速度翻倍。[3]
- Blackwell(2024,B200 / GB200) — HBM3e,192 GB,8 TB/s。B200 用 NV-HBI(10 TB/s 片间互连)把两块 die 缝成一颗逻辑 GPU,共 208 亿晶体管、148 个 SM,L2 合计约 126 MB。五代 Tensor Core 引入 FP4,把单 token 读取量再砍半。GB200 = 2 颗 B200 + 1 颗 Grace CPU,靠 NVLink-C2C 让 GPU 直接高速访问 CPU 侧的 LPDDR。[5]
- Blackwell Ultra(2025,B300) — HBM3e 堆到 288 GB,进一步为超长上下文和大 batch 推理扩容。

汇总成表(数据中心主力 SKU,SXM 版口径):
| 架构(年份) | 代表卡 | 显存类型 | 容量 | 带宽 | L2 | 每 SM 共享内存 | Tensor Core |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Pascal(2016) | P100 | HBM2 | 16 GB | ≈732 GB/s | 4 MB | 64 KB | 无 |
| Volta(2017) | V100 | HBM2 | 16 / 32 GB | 900 GB/s | 6 MB | ≤96 KB | 一代 |
| Turing(2018) | T4 | GDDR6 | 16 GB | 320 GB/s | 4 MB | ≤64 KB | 二代 |
| Ampere(2020) | A100 | HBM2e | 40 / 80 GB | 1.55 / 2.0 TB/s | 40 MB | 164 KB | 三代 |
| Hopper(2022) | H100 | HBM3 | 80 GB | 3.35 TB/s | 50 MB | 228 KB | 四代(FP8) |
| Hopper(2023) | H200 | HBM3e | 141 GB | 4.8 TB/s | 50 MB | 228 KB | 四代 |
| Blackwell(2024) | B200 | HBM3e | 192 GB | 8 TB/s | ≈126 MB | 228 KB | 五代(FP4) |
| Blackwell Ultra(2025) | B300 | HBM3e | 288 GB | ≈8 TB/s | ≈126 MB | 228 KB | 五代 |
一条清晰的主线:带宽从 Pascal 到 Blackwell 涨了约 11 倍,正好对应 decoding 天花板涨了约 11 倍。而每一代 Tensor Core 引入更低精度(FP16 → FP8 → FP4),又从「减少单 token 读取字节数」这一侧再帮吐字速度加倍 — 硬件是从带宽和数据量两头同时压这道 memory wall。
存储工艺:SRAM、GDDR、HBM
金字塔上的三层电学存储 — 片上的 SRAM、消费显卡的 GDDR、数据中心的 HBM — 决定了带宽、容量和成本的全部张力。它们的存储单元原理各异,工艺难度和造价差着数量级。
SRAM:片上寄存器 / 缓存 / 共享内存
寄存器、L1 / 共享内存、L2 全是 SRAM(Static RAM,静态随机存取存储器),直接刻在 GPU die 上。它的核心是 6T 单元 — 6 个晶体管组成交叉耦合的双稳态回路,通电就一直锁着 0 或 1,不需要刷新(这是「静态」的来历)。读取直接感知节点电平,延迟做到亚纳秒;因为和逻辑电路同工艺,可以和计算单元刻在一块硅上。[11]

代价是密度低、面积大、单位容量极贵。每比特要 6 个晶体管,而先进工艺下 SRAM 单元已经缩不动了 — TSMC N5 的 6T bit cell 约 0.021 μm²,N3 仅缩到约 0.0199 μm²(只小 5%)。[11] 这就是为什么 GPU 的 L2 想再大也只能到上百 MB,再往上就是不可接受的硅面积和成本。它的优势全在带宽和延迟 — 片上 SRAM 的聚合带宽是 HBM 的几十倍,FlashAttention 之所以快,本质就是把热数据尽量留在这层不往 HBM 掉。
GDDR:消费级显卡显存
GDDR 是消费级显卡的显存 — 围着 GPU 焊在 PCB 上的独立 DRAM 颗粒。它的存储单元是 1T1C(1 个晶体管 + 1 个电容),靠电容里的电荷存 0 / 1,电荷会漏、必须每隔几毫秒刷新一次,所以「动态(Dynamic)」、也因此延迟比 SRAM 高、但单元小得多、每比特便宜得多。[13]

GDDR 的代际推进,近几年几乎全靠信号调制在压榨同一条 PCB 走线的带宽极限:
- GDDR6(2018)— NRZ 二电平(高 / 低 = 1 bit/symbol),14 至 18 Gbps/pin。
- GDDR6X(2020,Micron 独家)— 改用 PAM4 四电平(2 bit/symbol),频率不变但每符号多搬 1 bit,冲到 19 至 24 Gbps;代价是电平间距挤掉一半、SNR 恶化、功耗上升。
- GDDR7(2024-2025,Blackwell RTX 50 系)— JEDEC 转向 PAM3 三电平(约 1.5 bit/symbol),28 至 32+ Gbps。看似比 PAM4 退一步,但三电平间距宽 50%,SNR 和误码率反而更好、同带宽下功耗更低。[7]
一张 RTX 5090 用 GDDR7、512-bit 总线,带宽约 1.8 TB/s。GDDR 单位带宽比 HBM 便宜 4 至 10 倍,游戏卡用得起,所以消费显卡全用 GDDR;但它做不出 HBM 那种超宽位宽和超大容量,撑不起数据中心的大模型 — 这就轮到 HBM 出场。
HBM:堆叠 + 硅中介层,数据中心显存
HBM(High Bandwidth Memory)是 DRAM 家族里工艺含金量最高的一支。存储单元和普通 DRAM 没本质区别,贵在「怎么堆起来」:[8]
- 把多层 DRAM 裸片(4 至 16 层)垂直堆叠;
- 用 硅通孔(TSV,Through-Silicon Via) 在芯片里打孔,实现层间垂直连接;
- 整个堆叠体通过 硅中介层(silicon interposer) 与 GPU 紧贴在一起共封装;
- 接口位宽极宽 — 每个堆叠 1024 bit(HBM4 起翻倍到 2048 bit),远超 GDDR 单颗 32 bit。
per-stack 带宽十年涨了约 16 倍。把主要代际排一排(近似值):[7][8]
| 代际(年份) | per-stack 带宽 | 单堆容量 | 层数 | pin 速率 | 首发平台 |
|---|---|---|---|---|---|
| HBM1(2015) | 128 GB/s | 4 GB | 4 | 1 Gbps | AMD Fiji |
| HBM2(2016) | 256 GB/s | 8 GB | 8 | 2 Gbps | V100 |
| HBM2e(2019) | 460 GB/s | 16 GB | 8-12 | 3.6 Gbps | A100 |
| HBM3(2022) | 819 GB/s | 24 GB | 12 | 6.4 Gbps | H100 |
| HBM3e(2024) | 1.2 TB/s | 36 GB | 12 | 9.2 Gbps | H200 / B200 |
| HBM4(2026) | ≈2 TB/s | 48 GB | 16 | 8 Gbps | 下一代 |
注意 HBM4 的 pin 速率反而从 9.2 Gbps 降到 8 Gbps — 它靠总线位宽翻倍到 2048 bit/stack 把带宽顶上去,而不是继续拉高频率。HBM4 还有一处结构性变化:base die(堆叠最底层的逻辑层)从 DRAM 工艺转到逻辑工艺(TSMC N5 / N3),可以集成自定义 controller,标志 HBM 从「通用商品」走向「与 GPU 厂、代工厂三方协同设计的定制件」。[8]
成本量级大致是(每 GB,数量级口径):
| 存储 | 单位容量成本(约) | 相对倍数 | 说明 |
|---|---|---|---|
| SRAM(片上) | 极高,不按 GB 卖 | — | 6T 单元占硅面积,用先进逻辑节点,最贵 |
| 标准 DRAM(DDR5) | ≈ $2-3 / GB | 1× | 大宗商品,产量大 |
| GDDR7 | ≈ $5-8 / GB | 2-3× | 高速接口 + 更严格 PCB |
| HBM3e | ≈ $10-15 / GB | 4-6× | TSV 堆叠 + 中介层 + 良率损耗 |
HBM 为什么这么贵?三笔账:堆叠良率(16 层里几千根 TSV 任一根开路整摞报废)、封装成本(CoWoS 硅中介层,一块 12 寸晶圆只切得出几十块大 interposer)、用料翻倍(同样的比特数,HBM 用的晶圆约是标准 DRAM 的 3 倍)。这三笔就把话题推到了供应链 — 因为它们决定了产能卡在哪。
供应商与产能
HBM:三家寡头,SK 海力士领跑
HBM 是个高度集中的市场,全球只有三家能量产 — SK 海力士、三星、美光。它们同时也是全球 DRAM 的三巨头(三家合计控制约 95% 的 DRAM 大盘)。[9]
2025 年的 HBM 市场份额(营收口径,季度数据有波动):
| 厂商 | HBM 份额(2025) | 站位 |
|---|---|---|
| SK 海力士 | ≈ 62%(全年约 63%) | 独家 / 主力供 NVIDIA H100 / H200 / B200 |
| 美光 | ≈ 21% | 靠 HBM3e 异军突起,2025 年 Q2 起超过三星居第二 |
| 三星 | ≈ 17%(Q3 回升至约 22%) | HBM3e 认证吃过亏,押注 HBM4 追赶 |
SK 海力士的领先,很大程度来自封装工艺的选择 — 它用 MR-MUF(Mass Reflow Molded Underfill,先涂底胶再整体回流)散热好、良率高,率先拿下 NVIDIA 大单;三星用 NCF(一层层贴膜键合)在 HBM3e 良率上迟迟过不了关,错失了大部分订单,只能把翻身希望押在 HBM4 上。2026 年的竞争焦点正是 HBM4。[9]
封装:CoWoS 是最深的物理瓶颈
HBM 造出来还得和 GPU 封在一起,这道工序卡在 台积电的 CoWoS(Chip-on-Wafer-on-Substrate) 上 — 把 GPU die 和 HBM 堆叠一起放到硅中介层上共封。CoWoS 有三种变体:CoWoS-S(硅中介层,主流,H100 / B200 用)、CoWoS-L(LSI 桥,降本)、CoWoS-R(RDL 重布线,薄型)。[5][10]
CoWoS 产能长期是 NVIDIA 高端卡缺货的物理根因。台积电的 CoWoS 月产能从 2023 年底约 1.3 万片,扩到 2024 年底约 3.5 万片、2025 年底约 7.5 万片,目标 2026 年底冲到约 13 万片 — 三年扩了约十倍,但 CEO 仍表示产能「极度紧张、2026 全年售罄」。TrendForce 估计供需缺口到 2026 年底才从约 20% 收窄到约 10%。[10]
DRAM 大盘:被 AI 挤爆的超级周期
AI 对 HBM 的胃口,正在把整个内存市场推入一轮超级周期。因为同样的晶圆产能,厂商更愿意拿去做利润高得多的 HBM,标准 DRAM(DDR5 / LPDDR)的供给被挤占;加上 HBM 每比特要吃约 3 倍晶圆,等于同样产能造出的总比特数变少。结果是 2025-2026 年常规 DRAM 也跟着涨价、吃紧,连服务器和消费内存都受到波及。[9]
三家厂商 2026 年都在大举扩产 — SK 海力士和三星都宣布提高内存产能以追 AI 需求,但新建晶圆厂周期以年计,短期内 HBM 与先进封装仍是 AI 算力供给链上最紧的两个环节。换句话说,眼下限制大模型推理规模扩张的,往往不是能不能设计出更快的 GPU,而是造得出多少 HBM、封得出多少 CoWoS。
结尾
把全文压成一条链:
decoding 逐字生成 → 每个 token 都要把整个模型从显存读一遍、算术强度约 1 FLOP/byte → 卡在显存带宽(memory bound)→ 吐字速度天花板 ≈ 显存带宽 ÷ 单 token 读取字节数 → 于是 GPU 一路堆带宽(HBM2 → HBM3e,0.7 → 8 TB/s)、堆片上 SRAM(L2 4 → 126 MB)、降精度减读取量(FP16 → FP8 → FP4)→ 而带宽的上限又被 SRAM 缩不动、HBM 堆叠贵、CoWoS 封装产能卡死这三道工艺 / 供应瓶颈锁住。
所以下次看到「H200 上某模型推理提速 X 倍」「HBM4 量产」「台积电 CoWoS 又扩产」这些新闻,都能落到这条链的某一环上 — 它们本质都是在同一道 memory wall 上,从带宽、数据量、或产能的某一侧再推一把。prefill 比算力,decoding 比带宽;而 decoding 才是用户真正感知到的「快慢」所在。
参考资料 — 论文 · 架构白皮书 · 供应链数据
- Williams, Waterman, Patterson. Roofline: An Insightful Visual Performance Model for Multicore Architectures. Communications of the ACM, 2009. dl.acm.org
- Yuan et al. LLM Inference Unveiled: Survey and Roofline Model Insights. arXiv:2402.16363, 2024. arxiv.org
- NVIDIA. NVIDIA Hopper Architecture In-Depth. developer.nvidia.com
- NVIDIA. NVIDIA H100 Tensor Core GPU Architecture Whitepaper. resources.nvidia.com
- NVIDIA. NVIDIA Blackwell Architecture Technical Brief(B200 / GB200). nvidia.com
- Chips and Cheese. Nvidia’s H100: Funny L2, and Tons of Bandwidth. chipsandcheese.com
- JEDEC. GDDR6 / GDDR7 / DDR5 官方标准. jedec.org
- JEDEC / SK Hynix / Micron. HBM3 / HBM3e / HBM4(JESD270) 标准与技术资料. news.skhynix.com
- TrendForce / IDC. 2025 HBM 与 DRAM 市场份额、供需分析. trendforce.com
- TSMC. CoWoS 先进封装产能与路线图. tsmc.com
- Hennessy, Patterson. Computer Architecture: A Quantitative Approach, 6th ed. — 第 2 章存储层次、附录 roofline 与 GPU 存储模型.
- Micron. GDDR7 / HBM3e 产品技术文档. micron.com
- TechInsights. 各代 DRAM / HBM / GPU 逆向工程与拆解数据. techinsights.com